@article{oai:ksu.repo.nii.ac.jp:00002597,
 author = {押山, 孝 and 小林, 隆文 and 桐島, 香里},
 journal = {京都産業大学先端科学技術研究所所報, The bulletin of the Research Institute of Advanced Technology Kyoto Sangyo University},
 month = {Jul},
 note = {Si（001）表面は高温度領域（550°C － 670°C）で超格子構造c（4×4）が現れる。低速電子線回折スポット強度の入射エネルギーおよび温度依存性を求めて、超格子構造の現れる過程を調べた。（00）の回折ビームのプロフィールから表面層の原子の配列が変化して行く過程を、（1/2,0）（0,1/2）の回折ビームの強度から、二つのドメイン構造（2×1）の境界にあるステップS_Bからc（4×4）構造は出現することを明らかにした。, 2, KJ00005554079, P, 研究論文, Paper},
 pages = {15--25},
 title = {Si(100)の準安定構造c(4×4)},
 volume = {8},
 year = {2009},
 yomi = {オシヤマ, タカシ}
}