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  1. 01 本学刊行物
  2. 01-007 京都産業大学総合学術研究所所報
  3. 01-007 第13号

タリウム系トポロジカル絶縁体の薄膜作製の試行

http://hdl.handle.net/10965/00010158
http://hdl.handle.net/10965/00010158
c99e5595-20ea-4eb7-8dac-65086e105044
名前 / ファイル ライセンス アクション
KSUSGKS_13_43.pdf KSUSGKS_13_43.pdf (346.1 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2018-08-01
タイトル
タイトル タリウム系トポロジカル絶縁体の薄膜作製の試行
言語 ja
タイトル
タイトル Thin-film growth of a Tl-based ternary topological insulator
言語 en
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 トポロジカル絶縁体
キーワード
主題Scheme Other
主題 薄膜作製
キーワード
主題Scheme Other
主題 スパッタリング法
キーワード
主題Scheme Other
主題 半導体
キーワード
主題Scheme Other
主題 カルコゲナイド
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Topological insulator
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Thin-film growth
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Sputtering method
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Semiconductors
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Chalcogenides
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 瀬川, 耕司

× 瀬川, 耕司

WEKO 22285

ja 瀬川, 耕司

en SEGAWA, Kouji

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 ここ数年,トポロジカル絶縁体の実験研究は非常にさかんに行われてきた。この論文では,トポロジカル絶縁体で最初に見出された三元系であるタリウム系カルコゲナイドの薄膜作製を試みたのでその第一歩について報告する。
書誌情報 京都産業大学総合学術研究所所報

巻 13, p. 43-50, 発行日 2018-07-31
出版者
出版者 京都産業大学総合学術研究所
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 1348-8465
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11879037
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2023-05-15 15:26:22.526631
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